国产完全自主生产DDR4内存正式曝光: 紫光造, 打破国外长达35年垄断

翻开内存的发展史，时间追溯至1982年，Intel推出经典的80286芯片，渴求更大的内存空间。当时解决方案，只能靠主板上额外增加的内存条才能满足需求，于是内存条就诞生了。

至2017年，算一算，从内存条诞生开始已经有长达35年的历史。内存从SIMM时代，历经SDR SDRAM、Rambus DRAM、DDR、DDR2、DDR3及DDR4多代发展，容量也从KB到GB跨越，性能更是突飞猛进。可这期间，电脑里不可或缺的内存，从来没有真正姓过“中国”。

过去，国内在DRAM领域的技术几乎是空白的，真正意义的空白 。

同样存储部件的硬盘，国内还曾经出现自主研发的国产硬盘品牌，像长城硬盘，易拓硬盘，虽然都沉沦的历史洪流中，但你何曾听过国产的“xxx”DRAM品牌？

如今，这千年寒冰，终于迎来破冰之时，中国队之称的紫光集团极可能推出首款PC使用的DDR4内存，DRAM颗粒完全自主研发，近段在网上就有曝光这一款新品。

裸条设计，有明显的紫光标志，虽然具体的规格还不得知，但DRAM颗粒肯定是国产造，有望打破三星、海力士、美光这些DRAM巨头长期的垄断。

振兴芯片产业，国家在行动：

今年年初，为了改变中国缺芯的局面，紫光集团宣布投资300亿美元（约合人民币2063亿人民币）在南京建设半导体产业基地，一期建成后，这将是中国规模最大的芯片制造工厂，月产量将达10万片。

去年7月，紫光还参与了长江存储科技有限责任公司的投资，后者是总投资1600亿元，主力打造3D NAND的国家存储器项目。

据披露，长江存储致力于开发自己的存储芯片，除了3D NAND闪存之外，还组建了500人的研发团队，攻关DRAM内存制造技术。

另外，因为外部技术封锁，紫光寄望于入股投资美光、西数，以资本获取技术，同时收购面临困境的台湾DRAM封测厂等技术企业，用资本开路，力求突破。紫光董事长赵伟国就曾公开静态：“半导体要自强，不破楼兰终不还”。一系列举措，也能看出国家在芯片产业的决心。

虽然现在只是看到样品，但相信如今的中国，将有能力，有信心，也有实力去制造DRAM颗粒，诞生真正属于自已的内存民族品牌。

要知道中国每年进口芯片的金额甚至超过了石油，芯片制造，已上升到国家层面。这个时代，正推着我们前行。