国产完全自主生产DDR4内存正式曝光: 紫光造, 打破国外长达35年垄断

翻开内存的发展史,时间追溯至1982年,Intel推出经典的80286芯片,渴求更大的内存空间。当时解决方案,只能靠主板上额外增加的内存条才能满足需求,于是内存条就诞生了。

至2017年,算一算,从内存条诞生开始已经有长达35年的历史。内存从SIMM时代,历经SDR SDRAM、Rambus DRAM、DDR、DDR2、DDR3及DDR4多代发展,容量也从KB到GB跨越,性能更是突飞猛进。可这期间,电脑里不可或缺的内存,从来没有真正姓过“中国”。

国产完全自主生产DDR4内存正式曝光: 紫光造, 打破国外长达35年垄断

过去,国内在DRAM领域的技术几乎是空白的,真正意义的空白 。

同样存储部件的硬盘,国内还曾经出现自主研发的国产硬盘品牌,像长城硬盘,易拓硬盘,虽然都沉沦的历史洪流中,但你何曾听过国产的“xxx”DRAM品牌?

如今,这千年寒冰,终于迎来破冰之时,中国队之称的紫光集团极可能推出首款PC使用的DDR4内存,DRAM颗粒完全自主研发,近段在网上就有曝光这一款新品。

国产完全自主生产DDR4内存正式曝光: 紫光造, 打破国外长达35年垄断

裸条设计,有明显的紫光标志,虽然具体的规格还不得知,但DRAM颗粒肯定是国产造,有望打破三星、海力士、美光这些DRAM巨头长期的垄断。

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振兴芯片产业,国家在行动:

今年年初,为了改变中国缺芯的局面,紫光集团宣布投资300亿美元(约合人民币2063亿人民币)在南京建设半导体产业基地,一期建成后,这将是中国规模最大的芯片制造工厂,月产量将达10万片。

去年7月,紫光还参与了长江存储科技有限责任公司的投资,后者是总投资1600亿元,主力打造3D NAND的国家存储器项目。

据披露,长江存储致力于开发自己的存储芯片,除了3D NAND闪存之外,还组建了500人的研发团队,攻关DRAM内存制造技术。

另外,因为外部技术封锁,紫光寄望于入股投资美光、西数,以资本获取技术,同时收购面临困境的台湾DRAM封测厂等技术企业,用资本开路,力求突破。紫光董事长赵伟国就曾公开静态:“半导体要自强,不破楼兰终不还”。一系列举措,也能看出国家在芯片产业的决心。

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虽然现在只是看到样品,但相信如今的中国,将有能力,有信心,也有实力去制造DRAM颗粒,诞生真正属于自已的内存民族品牌。

要知道中国每年进口芯片的金额甚至超过了石油,芯片制造,已上升到国家层面。这个时代,正推着我们前行。

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